闪存产品的阳关大道
基于半导体技术的闪存卡在技术和应用上都进展神速，已经成为手持设备进行数据存储的不二选择，将磁盘类设备渐渐甩在身后。
闪存卡的容量和速度就像撑竿跳世界纪录一样被有计划地戏剧性刷新。Pretec的CFⅡ已经达到了12GB容量，CF I的纪录则由SanDisk保持为8GB。除了已经进入青春期的CF卡，一些新兴的闪存卡也在容量上突飞猛进：4GB MemoryStick Pro即将供货；松下的4GB SD卡也已经亮相；作为后来者的xD卡也在最近由富士和奥林巴斯公司推出了2GB的产品。容量飙升的背后，是闪存颗粒核心的进展，东芝和三星公司先进的高密度闪存颗粒功不可没。随着半导体工艺的进一步发展，16GB、32GB的闪存卡也已经出现在各厂家的发展计划中，2GB的闪存盘也不是什么新鲜事了。随着多值技术在闪存类产品中得到广泛应用，一些大容量的低速闪存卡凭借性价比渐渐赢得了市场，更为闪存卡的扩容铺平了道路。
半导体存储器件具有可靠性高、耗电少、体积小等优势，在容量和存取速度上又取得了长足的进步，看来磁记录技术在便携数码产品中的地位有些岌岌可危了。而且现在价格已经渐渐不再是闪存卡的劣势，半导体行业的降价速度让人们在很短的时间内就体会到了苦辣酸甜，更对闪存的明天充满了憧憬。
存储卡与U盘的未来
——NAND闪存技术的纯粹比拼
存储时代 www.stor-age.com 赵效民
在可预知的未来几年中，采用现有技术的闪存仍将得到进一步发展，MRAM、OUM、FeRAM之类的新一代NVRAM还不会影响到闪存的根基。那么应用于存储卡与U盘的闪存，在未来的发展中会有哪些趋势呢？
完全可以说，在这两个应用领域里仍然是NAND闪存的天下，NOR闪存由于容量太小(目前最大容量为512Mb)而没有用武之地。NAND闪存则将进一步在容量上发挥优势，同时提高传输性能。
对于存储卡和U盘来说，显然容量将是第一位的。目前各大NAND厂商都在积极的采用新的生产工艺，这一方面有助于提高产能，也为提供更大的容量打下了基础。东芝与三星这两个NAND霸主都在争取早日普及65nm以及60nm的生产工艺。在芯片内存储架构上，MLC也逐渐深入人心，虽然性能仍然不及传统的SLC产品，但在性价比方面突出。想想也是，消费量最大的普通用户对存储卡与U盘的速度并不太苛求，市场上卖得最多的产品并不是高速类型。所以，在未来几年中，MLC技术将进一步发扬光大。另一方面，多核心封装也将得到广泛应用，尤其是在晶圆本身不能达到而又需要达到某种容量时，多核心封装技术就必不可少，可以说现在的最大容量记录都是因它而创造。对于二线NAND厂商，在单核心容量上不敌东芝与三星的情况下，多核心封装就是在容量上追赶对方的一大利器。
在速度方面，由于不涉及代码执行，NAND闪存将主要通过提高页面容量、时钟频率与位宽来满足带宽的需要，不过在存储卡和U盘领域，速度并不只是决定于NAND闪存本身，控制器的接口性能也至关重要。高容量的NAND闪存本身的读取带宽就已经达到近20MB/s，所以厂商采用什么等级的控制器将决定最终的产品表现。
不过，NAND在其他方面的最新技术成果不见得会应用于存储卡与U盘领域，如三星的OneNAND、东芝的Disk on Chip、AMD的ORNAND以及MCP多芯片封装等等，因为这些都主要针对移动设备而开发。因此，在存储卡与U盘市场上，我们看到的将是纯粹的NAND闪存与半导体生产技术的比拼。
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